[发明专利]半导体刻蚀设备和碳化硅晶片的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202110179377.8 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112921404B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 林源为;谭晓宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B29/36;C23C14/35;C23C14/04;H01L21/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体刻蚀设备和碳化硅晶片的刻蚀方法，半导体刻蚀设备包括工艺腔室，所述工艺腔室内设置有磁控溅射组件，所述磁控溅射组件安装于所述工艺腔室的侧壁上，位于所述工艺腔室中用于承载晶片的承载件上方，所述磁控溅射组件包括基座组件和遮挡组件，所述基座组件用于固定靶材并吸引等离子轰击所述靶材，所述遮挡组件可旋转，用于选择性地遮挡所述靶材。采用上述半导体刻蚀设备对碳化硅晶片进行刻蚀，可以解决形成的刻蚀结构的侧壁和底面近乎垂直，会引起尖端放电现象，从而容易损坏器件的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 设备 碳化硅 晶片 方法 | ||
【主权项】：
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