[发明专利]一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110179994.8 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112993178B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 曾凡菊;谭永前;唐孝生 | 申请（专利权）人： | 凯里学院 |
| 主分类号： | H10K50/115 | 分类号： | H10K50/115;H10K85/30;H10K71/12;H10K71/16;H10K50/16 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 董林利 |
| 地址： | 556011 贵州省黔东南苗*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法，属于量子点发光二极管器件技术领域。该二极管由下往上依次由底电极、空穴传输层、量子点钙钛矿发光层、电子传输层和金属顶电极层叠组成，其中，量子点钙钛矿发光层为锡掺杂铯铅溴量子点钙钛矿发光层。通过合理控制锡的掺杂量，使制备的量子点钙钛矿的光致发光量子效率从未掺杂时的21.0％提高到了40.4％，提高了1.9倍，且锡掺杂前后，光致发光峰位不变，仍为511nm。以该量子点钙钛矿层作为发光层的二极管的电致发光峰位为512nm，电致发光亮度为343.0cd/m |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 铯铅溴 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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