[发明专利]一种具有势垒层表面P型掺杂的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202110180298.9 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786686B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;王笑伟;董梦宇;朱顺威;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙) 61279 | 代理人： | 汪重庆 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有势垒层表面P型掺杂的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管；自下而上设置有：半绝缘衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)和AlGaN势垒层(4)；所述AlGaN势垒层(4)的上表面从左到右分别设有源电极(5)、栅电极(6)和漏电极(7)；从栅电极(6)与源电极(5)之间的所述AlGaN势垒层(4)的表面处向下进行掺杂形成栅源间表面P型掺杂区域(8)；从栅电极(6)与漏电极(7)之间的所述AlGaN势垒层的表面处向下进行掺杂形成栅漏间表面P型掺杂区域(9)。本发明旨在提高器件击穿电压的同时可以改善直流特性与频率特性，增强器件的输出功率密度与功率附加效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 势垒层 表面 掺杂 algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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