[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110180664.0 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113270499A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李寅烈;金柱然;金辰昱;朴柱勋;裵德汉;严命允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、在衬底上的栅极结构、以及在栅极结构中的栅极接触。栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在栅电极上的栅极覆盖图案。栅极接触连接到栅电极。栅电极包括沿着栅极接触和栅极覆盖图案之间的边界延伸的突起。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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