[发明专利]一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202110181355.5 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113046708A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张永军;朱琪;王雅新;朱奥男;赵晓宇 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/20;B22F9/24;B22F1/00;G01N21/65;G01N33/574;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）六方密排聚苯乙烯微球阵列结构制备；（3）球状包覆阵列结构制备；（4）周期性纳米孔洞阵列结构制备；（5）银纳米周期阵列制备；（6）纳米阵列结构；本发明纳米阵列结构SERS活性强，灵敏度高，对于新型纳米光子学器件、自标定测量都有积极意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 调控 纳米 阵列 结构 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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