[发明专利]侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及电子设备有效

专利信息
申请号: 202110181463.2 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112992857B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 朱慧珑;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473;H01L21/768;H01L27/092;H01L21/8238
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 公开了一种侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例,半导体装置可以包括:承载衬底,具有彼此相邻的第一区和第二区;第一区上的半导体器件;以及第二区上的互连结构。互连结构可以包括:电隔离层;电隔离层中的导电结构,其中,半导体器件中的至少一部分需要电连接的部件与互连结构中相应高度处的导电结构在横向上相接触并因此电连接;以及电隔离层中的散热管道。
搜索关键词: 侧壁 互连 结构 散热 管道 半导体 装置 及其 制造 方法 电子设备
【主权项】:
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