[发明专利]GaN器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110181529.8 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112993033B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;郁发新;吕贝贝;赵文杰;郎加顺 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备包括：提供衬底；制备外延结构、辅助功能部以及器件电极，所述辅助功能结构包括若干个叠置的且为p型掺杂层的辅助单元层，辅助掺杂层的掺杂浓度自下层至上层逐渐增加。通过引入多层p型掺杂且浓度渐变的辅助功能部，辅助功能部同时作为器件的帽层结构，可以使得当栅极电压不断增加时，空穴开始注入沟道并产生相等数量的电子，从而增加2DEG。具有高迁移率的电子将在电场的作用下到达漏极，而空穴将保留，因为它们的迁移率远低于电子，从而电流通过注入的空穴数量进行调制，可以在跨导曲线中显示一个双峰，有效改善器件的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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