[发明专利]半导体器件、存储器单元及其制造方法在审
| 申请号： | 202110182089.8 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113257818A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;黄家恩;邱奕勋;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种半导体器件、存储器单元及其制造方法。存储器单元包括第一晶体管。第一晶体管包括第一传导通道，第一传导通道由沿垂直方向彼此间隔开的一个或多个第一纳米结构共同构成。存储器单元包括与第一晶体管串联电耦合的第二晶体管。第二晶体管包括第二传导通道，第二传导通道由沿垂直方向彼此间隔开的一个或多个第二纳米结构共同构成。一个或多个第一纳米结构中的至少一个通过沿垂直方向延伸到第一晶体管的第一漏极/源极区中的第一金属结构被施加第一应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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