[发明专利]光子雪崩二极管及其制造方法

摘要

本公开的各实施例涉及光子雪崩二极管及其制造方法。光子雪崩二极管包括：半导体本体，具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；第一导电类型的初级掺杂区域，在半导体本体的第一侧处；与第一导电类型相对的第二导电类型的初级掺杂区域，在半导体本体的第二侧处；第二导电类型的增强区域，在第一导电类型的初级掺杂区域下方并且与第一导电类型的初级掺杂区域邻接，该增强区域与第一导电类型的初级掺杂区域一起形成有源pn结；以及第一导电类型的收集区域，被插入在增强区域与第二导电类型的初级掺杂区域之间，并且被配置为将在收集区域或第二导电类型的初级掺杂区域中产生的光载流子朝向增强区域传输。