[发明专利]偏移状态检测方法及偏移状态检测装置在审
| 申请号： | 202110185113.3 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN112928040A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 孙小芹;苏运坤 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置，其中，偏移状态检测方法用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，包括：在当前工艺结束后，基于传输部件将晶片从工艺腔室中传出；在传输部件将晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于后续工艺腔室对应的检测组件，获取晶片的实际位置相对于传输部件上预设位置的偏移量；根据预设的偏移量和偏移状态的对应关系，确定晶片相对于承载部件的偏移状态。本发明提供的偏移状态检测方法及偏移状态检测装置能够对晶片与工艺腔室内的承载部件的容纳结构是否搭接进行检测，降低半导体设备的成本和故障率。 | ||
| 搜索关键词： | 偏移 状态 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110185113.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集群训练节点分配方法、电子设备
- 下一篇：一种硅表面钝化层的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
