[发明专利]一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法在审
| 申请号： | 202110185932.8 | 申请日： | 2021-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN112906334A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 方镇东;诸舜杰;钟添宾 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立方法，包括，电压控制电压源，第一MOSFET，第二MOSFET，第一电阻，第二电阻，第一电容，第二电容和二极管；本申请提供的技术方案基于电流电压方程的参数拟合，结合SPICE仿真技术，实现一种精度高、速度快、符合器件物理特性的SPICE宏模型，该模型适用于沟槽型MOSFET器件，兼容各种SPICE仿真器，提高了仿真精确度与速度，缩短了电源器件设计周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 物理 结构 沟槽 mosfet 电路 模型 及其 建立 方法 | ||
【主权项】：
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