[发明专利]基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法在审
| 申请号： | 202110186111.6 | 申请日： | 2021-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN112799976A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 章铁飞 | 申请（专利权）人： | 浙江工商大学 |
| 主分类号： | G06F12/0871 | 分类号： | G06F12/0871 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310010 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 根据Q‑learning自学习算法的原理，本发明提供一种基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法。本发明的创新点在于设计合理的参数来描述行缓冲器的状态，结合DRAM行缓冲器的工作原理，设计合理的动作奖惩值；针对原始Q表格的高昂存储代价，本发明提出两级Q表格的技术方案，根据每个内存行实际的访问情况，按需分配表格条目，避免存储空间的浪费，有效降低存储代价。本发明的优势在于动态适配不同应用程序的内存行访问模式，自学习得到当前系统环境下最优的行缓冲器管理方法，有效提升DRAM行缓冲器的工作效率，降低DARM存储器的访问延时，提升DRAM的存储器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 两级 表格 dram 缓冲器 管理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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