[发明专利]金属凸块及其制造方法在审
| 申请号： | 202110186640.6 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN112530819A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 魏有晨;穆苑龙;王冲;王大甲;冯雪丽 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属凸块及其制造方法，通过将镀金属窗口的内壁由现有的直线型修改为阶梯型，使得镀金属窗口的底部开口大于钝化层的接触窗口的顶部开口，并小于所述镀金属窗口的顶部开口，从而在向镀金属窗口中依次镀第一焊料层、金属阻挡层以及第二焊料层后，能利用所述阶梯型内壁的限定作用使得第一焊料层的顶部外边缘在周向上均短于所述金属阻挡层的顶部外边缘，即使得第一焊料层相对金属阻挡层形成底切结构，由此可以在后续工艺中能够保证第二焊料层无法接触到第一焊料层，从而避免金属凸块中的第一焊料层和第二焊料层中的金属发生不必要的共晶反应的问题，提高了金属凸块的性能，降低了器件因金属凸块性能不良而失效的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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