[发明专利]碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法有效
| 申请号： | 202110186694.2 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN112522781B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李翔;丛茂杰;谢志平;阚志国;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法。缓冲层包括至少两层碳化硅薄膜层，并且至少对下层的碳化硅薄膜层其顶表面进行预定离子掺杂，以在碳化硅薄膜层的顶表面上形成参数不同的阻隔面，以用于阻隔延伸至碳化硅薄膜层中的位错缺陷，避免位错缺陷在碳化硅薄膜层中进一步向上传播。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 缓冲 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路制造（绍兴）有限公司，未经中芯集成电路制造（绍兴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110186694.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
