[发明专利]一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110186779.0 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN112981348A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈占国;刘晓航;陈曦;赵纪红;刘秀环;侯丽新;高延军 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体掺杂技术领域。采用射频磁控溅射技术，首先在衬底上进行第一层hBN薄层的溅射生长，然后再接着进行第一层Mg杂质源的溅射生长，每个溅射周期得到的膜厚为20～60nm，最后再溅射一层hBN薄层，避免Mg与外界环境直接接触。每个溅射周期的膜厚可由hBN靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；Mg的掺杂浓度可由Mg靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；然后按照所需要的膜厚和掺杂浓度多次重复上述溅射周期，从而获得空穴浓度很高的P型hBN薄膜。本发明不需要高温环境，可以与Si的集成工艺兼容，配合掩膜板可以较精确的实现区域可控掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mg 原位 掺杂 型六方 氮化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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