[发明专利]基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110186788.X | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN112993748B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 邵泓焰;曾一平;张杨;崔利杰;崔宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构之上，通过液晶折射率的改变实现对传输光场损耗的影响，从而控制激射模式。本发明还提供了一种用于制备上述基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 液晶 调控 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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