[发明专利]一种混杂基体SiCf/SiC复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110186870.2 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN112521156B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王衍飞;刘荣军;万帆;王甫 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/571 | 分类号： | C04B35/571;C04B35/80;C04B35/622;C04B35/628 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 闵亚红 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种混杂基体SiCf/SiC复合材料及其制备方法，所述方法包括：对SiC纤维预制件进行预处理，并在SiC纤维预制件的表面沉积一层PyC界面层或BN界面层；将沉积界面层的SiC纤维预制件放置在SiC沉积炉中，以氢气鼓泡三氯甲基硅烷作为源气，氩气为稀释气体，得到沉积有CVI SiC基体的中间体；将中间体真空浸渍在聚碳硅烷溶液中，得到PIP SiC基体，同时重复PIP循环周期5~6次，即得混杂基体SiCf/SiC复合材料。本发明方法显著降低了制备复合材料的闭孔率，提高了其致密度以及显微组织均匀性，其力学性能、性能稳定得到了显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混杂 基体 sicf sic 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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