[发明专利]一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法在审
申请号: | 202110186966.9 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN113035999A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 齐红基;赛青林 | 申请(专利权)人: | 杭州富加镓业科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/115;H01L31/032 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 刘文求;朱阳波 |
地址: | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法,掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤:提供掺Al氧化镓单晶;对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片;对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片;在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。本发明采用掺Al氧化镓单晶,通过在氧化镓中掺杂Al提高探测器的电阻率,并将掺Al氧化镓单晶切割后得到单晶基体片,并对单晶基体片进行退火处理,通过退火处理降低掺Al氧化镓单晶中自由电子浓度,从而提高探测器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 al 氧化 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的