[发明专利]金属氧化物膜以及半导体装置在审
| 申请号： | 202110187768.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113105213A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 保坂泰靖;生内俊光;岛行德;神长正美;黑崎大辅;羽持贵士;肥塚纯一;冈崎健一;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/453;C23C14/08;C23C14/58;C03C17/245;H01L27/12;H01L29/24;H01L29/778;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜冰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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