[发明专利]一种区熔级多晶硅料的制备装置及方法在审

专利信息
申请号: 202110190431.9 申请日: 2021-02-18
公开(公告)号: CN112723357A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 张华芹;程佳彪 申请(专利权)人: 上海韵申新能源科技有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 代理人: 谢小军
地址: 201612 上海市松江区漕河泾开发*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种区熔级多晶硅料的制备装置,包括底盘;设置在底盘上的炉体,炉腔;硅芯,作为化学气相沉积的基质;主加热电源,主加热电源与硅芯电路连通为硅芯供电;原料进口,用于通入生成区熔级多晶硅料的气体原料;辅助加热装置。体外壁设有冷却夹套,冷却水腔与冷却夹套相连通。一种区熔级多晶硅料的制备方法,包括:将氯硅烷与氢气通入炉腔内;预热;进一步加热;将三氯氢硅和氢气通过主进气环管通入炉腔内;通过主进气环管开始增加三氯氢硅通入量、减少氢气通入量,其次开始通过次进气环管通入二氯二氢硅,最后开始减少二氯二氢硅的通入量。能够减少外界其他设备带来的污染、并且有效控制硅棒热应力的效果。
搜索关键词: 一种 区熔级 多晶 制备 装置 方法
【主权项】:
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