[发明专利]GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器在审

专利信息
申请号: 202110190660.0 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN113013289A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 郝宏玥;徐应强;牛智川;王国伟;蒋洞微 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/102;H01L27/144
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器,其中,该制备方法包括:在GaSb衬底上光刻制备对准标记,得到带有对准标记的GaSb衬底;在带有对准标记的GaSb衬底表面光刻制备焦平面阵列,并曝露焦平面阵列像元区域,并对像元区域进行掺杂;在像元区域及GaSb衬底上分别制备欧姆接触电极,并制备与欧姆接触电极发生互联的铟柱;将带有铟柱的GaSb衬底与读出电路实现电性连接,制备得到GaSb焦平面红外探测器。
搜索关键词: gasb 平面 红外探测器 制备 方法
【主权项】:
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