[发明专利]GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器在审
申请号: | 202110190660.0 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN113013289A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 郝宏玥;徐应强;牛智川;王国伟;蒋洞微 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/102;H01L27/144 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘歌 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器,其中,该制备方法包括:在GaSb衬底上光刻制备对准标记,得到带有对准标记的GaSb衬底;在带有对准标记的GaSb衬底表面光刻制备焦平面阵列,并曝露焦平面阵列像元区域,并对像元区域进行掺杂;在像元区域及GaSb衬底上分别制备欧姆接触电极,并制备与欧姆接触电极发生互联的铟柱;将带有铟柱的GaSb衬底与读出电路实现电性连接,制备得到GaSb焦平面红外探测器。 | ||
搜索关键词: | gasb 平面 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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