[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110191345.X | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112802901A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含第一主动区、第二主动区以及第三主动区沿着第一方向延伸于一基底上、第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区、第二主动区及第三主动区、第一单扩散隔离结构沿着第二方向延伸并设于第一主动区的第一栅极线正下方、第二单扩散隔离结构设于第二主动区的第一栅极线正下方以及第三单扩散隔离结构设于第三主动区的第一栅极线正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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