[发明专利]一种含间碳硼烷基团的耐高温聚合物及其制备方法有效
申请号: | 202110196052.0 | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN112961364B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 苟燕子;闫德轩;王应德;邵长伟;王小宙;王兵;韩成 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | C08G79/08 | 分类号: | C08G79/08 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 邱轶 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种含间碳硼烷基团的耐高温聚合物及其制备方法,该耐高温聚合物为聚[双(4‑氯苯基)间碳硼烷]或者聚[双(3‑氯苯基)间碳硼烷],热稳定好,抗氧化性好,陶瓷产率高,可应用于碳化硼陶瓷先驱体、抗氧化涂层、中子屏蔽材料、光致发光材料等领域。该制备方法包括单体合成和单体聚合等步骤,以性质稳定且低毒的间碳硼烷为硼源物质,取代现有技术中采用的不稳定且剧毒的十硼烷,工艺简单,安全,聚合物的合成难度低,适用于大批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 含间碳硼 烷基 耐高温 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学,未经中国人民解放军国防科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110196052.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。