[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110198205.5 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113113296A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 潘冠廷;苏焕杰;林志昌;朱熙甯;詹易叡;江国诚;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法包括于多个鳍片之上形成虚置栅极。接着，移除虚置栅极的第一部分以形成第一沟槽，第一沟槽露出第一混合鳍片以及第二混合鳍片的第一部分。半导体装置的制造方法还包括以第一介电材料填充第一沟槽，第一介电材料设置于第一混合鳍片以及第二混合鳍片的第一部分之上。接着，移除虚置栅极的第二部分以形成第二沟槽，且以金属层填充第二沟槽。半导体装置的制造方法还包括回蚀刻金属层，其中在回蚀刻金属层的步骤之后，金属层的第一顶表面定义出第一平面，第二混合鳍片的第二部分的第二顶表面定义出第二平面，且第一平面设置于第二平面下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
