[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法有效
| 申请号： | 202110198603.7 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN112885391B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;黄杨;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法，属于半导体领域。使SRAM存储单元中的存储数据在存储节点之间不断交换，消除阈值失配。包括主电路和从属电路。主电路包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，第一反相器和第二反相器相互交叉耦合后，形成有第一存储节点和第二存储节点；从属电路包括串接在第二反相器的输出端和第一反相器的输入端之间的第一开关电路；从属电路还包括依次串接在第一存储节点和第二存储节点之间的第二开关电路、反相器电路以及第三开关电路；在一个存储周期内，当对第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路依次按照第一控制方式和第二控制方式进行控制后，第一存储节点和第二存储节点中的存储电位发生翻转。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储 单元 存储器 以及 数据 方法 | ||
【主权项】：
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