[发明专利]三维相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110198695.9 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951992B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种三维相变存储器及其制备方法，三维相变存储器包括：底部相变存储单元、顶部相变存储单元和至少一层中间相变存储单元；其中，中间相变存储单元包括由下至上叠置的中间第一选通层、中间相变存储层和中间第二选通层；和/或，底部相变存储单元包括由下至上叠置的底部第一选通层、底部相变存储层和底部第二选通层；和/或，顶部相变存储单元包括由下至上叠置的顶部第一选通层、顶部相变存储层和顶部第二选通层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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