[发明专利]应用于MEMS惯性器件的1/f噪声的带隙电压基准电路有效
| 申请号： | 202110199753.X | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112947659B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王鹏 | 申请（专利权）人： | 北京迪浩永辉技术有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京国谦专利代理事务所(普通合伙) 11752 | 代理人： | 赵慧敏 |
| 地址： | 100043 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于模拟集成电路设计技术领域，公开了一种应用于MEMS惯性器件的1/f噪声的带隙电压基准电路，带隙电压基准电路由电流源模块、温度敏感模块、频率补偿模块、比例电阻模块、斩波放大器模块组成。本发明通过在电流源模块和运算放大器模块处加入斩波开关来对信号进行调制，并在电路中加入频率补偿模块，从而大幅减弱电路中1/f噪声的影响并提高电路的闭环稳定性。通过合理调节比例电阻参数，即可在斩波放大器中输出与温度无关的电压值。解决了MEMS惯性器件中由由低频1/f噪声引起的MEMS惯性器件的零位稳定性差和阈值分辨率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 mems 惯性 器件 噪声 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
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