[发明专利]一种基于厚度刻蚀的大面积超薄二维氮化物的生长方法有效
| 申请号： | 202110200330.5 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113013020B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈珊珊;张戈辉;陈鹭琛 | 申请（专利权）人： | 中国人民大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵静 |
| 地址： | 100872 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄二维氮化物薄膜的制备方法，包括：用氧气等离子体清洗机对衬底表面进行预处理，为氧原子的吸附提供了更多的活性位点，挤压液态金属后液态金属表面氧化膜与衬底之间的结合能力明显提高，而内层的氧化膜由于与衬底之间没有充分接触，氧化程度不够高导致其质量较差，因此在后续氮气等离子化学气相沉积的过程会把这层氧化膜刻蚀掉，获得超薄二维薄膜的同时也对氧化膜进行了氮化，得到了超薄二维氮化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 厚度 刻蚀 大面积 超薄 二维 氮化物 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
