[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110200555.0 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113013092B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 任兴润 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；于所述衬底上形成多个间隔分布的第一阻挡结构，相邻所述第一阻挡结构之间具有暴露所述衬底的第一沟槽结构；形成初始介质层，所述初始介电层填充满所述第一沟槽结构；去除部分所述初始介质层，以形成介质层，所述介质层具有第二沟槽结构，所述第二沟槽结构暴露部分所述第一阻挡结构；其中，形成所述第一阻挡结构的材料的致密度大于形成所述介质层的材料的致密度；形成导电层，所述导电层填充满所述第二沟槽结构。本发明增加了栓塞导电结构的稳定性，提高了整个器件结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
