[发明专利]一种物理气相传输法用坩埚盖及其制备方法有效
| 申请号： | 202110200688.8 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112981524B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 姚恒 | 申请（专利权）人： | 芜湖予秦半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/20;C30B29/06;C30B29/36;C30B33/02;C30B33/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种物理气相传输法用坩埚盖及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域。一种物理气相传输法用坩埚盖，包括依次设置的石墨层、硅层和籽晶层；上述物理气相传输法用坩埚盖的制备方法，包括以下步骤：S1.以硅层为基底，外延生长过渡硅层；S2.外延生长碳掺杂的硅层；S3.热处理步骤S2所得材料，得复合层；S4.将复合层远离籽晶层的一侧表面与石墨层进行粘结复合。本发明中，籽晶层靠近硅层一侧，碳浓度较低，远离硅层一侧，碳浓度较高，因此籽晶层与硅层、以及后续物理气相传输法生成的碳化硅单晶间的晶格失配均较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 相传 输法用 坩埚 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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