[发明专利]半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202110200823.9 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113013030B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 曹新满;刘忠明;白世杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：形成由下至上依次叠置的第一掩膜层、第一缓冲层、第二掩膜层及第二缓冲层；第二缓冲层与第一缓冲层的刻蚀选择比大于1；图形化第二缓冲层及第二掩膜层；于第一图形的侧壁形成第一掩膜图形，第一掩膜图形沿第一方向延伸；去除第二缓冲层及第二掩膜层；形成由下至上依次叠置的第三掩膜层、第三缓冲层、第四掩膜层及第四缓冲层；第四缓冲层与第三缓冲层的刻蚀选择比大于1；图形化第四缓冲层及第四掩膜层；于第二图形的侧壁形成第二掩膜图形，第二掩膜图形沿第二方向延伸，第二方向与第一方向斜交；去除第四缓冲层及第四掩膜层。半导体结构的制备方法所形成的各刻蚀孔的尺寸一致，不会影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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