[发明专利]一种提高非晶碳化硅薄膜红光发光效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高非晶碳化硅薄膜红光发光效率的方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括以下步骤：在平行板电容型射频等离子体增强化学气相沉积系统中，将衬底固定在电容极板的下极板的上表面，同时对其加热；将硅烷、甲烷的混合气体通入反应腔；按照非晶碳化硅薄膜制备工艺设置混合气体中的硅烷、甲烷流量比，并在此基础上通入微小流量的氨气，同时调制反应室的抽气口，使反应室气压保持在20Pa不变；将射频信号加到电容极板的上极板上，控制生长时间。本发明的方法可将非晶碳化硅薄膜的红光发光效率提高4倍以上，本发明制备的具有强红光发射的掺氮富硅非晶碳化硅薄膜，能与当前微电子工艺相相兼容，易于实用化。