[发明专利]一种红外焦平面探测器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110201569.4 申请日: 2021-02-23
公开(公告)号: CN113013188A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 北京智创芯源科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王雨
地址: 100095 北京市大兴区北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种红外焦平面探测器的制作方法,通过在p型基体上表面设置钝化层;透过所述钝化层对所述p型基体进行整面注入,得到连续的n型掺杂层;在所述钝化层表面光刻隔离槽图形,并根据所述隔离槽图形,刻蚀得到穿透所述钝化层及所述n型掺杂层,且底面与所述p型基体接触的图形化的隔离槽,制得红外焦平面探测器;其中,所述n型掺杂层包括多个被所述隔离槽分隔的探测像元。本发明通过隔离槽从空间上分隔相邻的探测像元,避免了探测像元间的串音现象,提升了探测器的探测精度,保障了信号强度,本发明不需要通过光刻胶层进行离子注入掺杂,也就避免了注入前表面污染残留的问题。本发明同时提供了一种具有上述有益效果的红外焦平面探测器。
搜索关键词: 一种 红外 平面 探测器 及其 制作方法
【主权项】:
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