[发明专利]一种储锂硅基材料的制备合成方法在审
| 申请号： | 202110201582.X | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113013384A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴中;张现峰;葛金龙;吕长鹏;焦紫薇;吴迪;沈梦涛;吴君哲 | 申请（专利权）人： | 蚌埠学院 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;C23C14/20;C23C14/35;C23C14/54;C23C18/28;C23C18/36;C23C18/40;C23C18/44;C23C28/00;H01M4/134;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 甘善甜 |
| 地址： | 233030 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及电池材料制备的技术领域，具体涉及一种储锂硅基材料的制备合成方法，采用化学镀和磁控溅射相结合的方法，以三聚氰胺海绵的三维多孔支撑体材料为三维基底制备三维集流体，提升了电极活性物质的负载量及电解液的浸润性，保证电子和离子传输，还提高了硅电极比容量的保留性，从而提高了硅电极的锂化循环次数；充分发挥了磁控溅射合成技术的独特优势，在三维连通网络结构上直接生长活性物质，实现一体化硅基材料的制备，探索出了一条设计和构筑高性能纳米结构一体化硅基电极的新途径，为硅基材料的储锂性能研究和开发提供科学依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 储锂硅 基材 制备 合成 方法 | ||
【主权项】：
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