[发明专利]制备钙钛矿薄膜的方法、钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池在审
申请号: | 202110202672.0 | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN112952007A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 李明洁;邵君;孙志刚 | 申请(专利权)人: | 无锡极电光能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 戴冬瑾 |
地址: | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了制备钙钛矿薄膜的方法、钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池。其中,制备钙钛矿薄膜的方法包括:提供基底;在所述基底的至少部分表面制备含铅薄膜,所述含铅薄膜由铅氧化物或铅铯氧化物形成;将有机氢卤酸盐与溶剂混合,得到前驱液;将所述前驱液施加至所述含铅薄膜,并进行退火处理,得到所述钙钛矿薄膜。该方法具有不依赖基底平整度、生产效率高,制备得到的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大、择优取向、结晶度高等优点。 | ||
搜索关键词: | 制备 钙钛矿 薄膜 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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