[发明专利]一种光敏型SiC异构结多势垒变容二极管

摘要

本发明公开了一种光敏型SiC异构结多势垒变容二极管，包括依次设置的N+型3C‑SiC衬底、至少一组异构结、N+型3C‑SiC接触层；所述异构结由N型3C‑SiC调制层、本征4H‑SiC或者6H‑SiC势垒层、N型3C‑SiC调制层构成，所述异构结中，窄带隙的N型3C‑SiC为势阱，宽带隙的本征4H‑SiC或本征6H‑SiC为势垒；所述异构结的表面产生二氧化硅保护层，之外涂覆遮光层；所述N+型3C‑SiC衬底、N+型3C‑SiC接触层的外表面分别有欧姆电极；N+型3C‑SiC接触层的外表面有透光孔。本发明优点是漏电流小、电容小、截止频率高、动态负载调制范围宽，光照改变电容；适用于倍频、参数放大、光探测等。