[发明专利]一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法有效
| 申请号： | 202110203793.7 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113013061B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 符德荣;严立巍;陈政勋;文锺;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 饶富春 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造领域，公开一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法，包括以下步骤：S1、将化合物半导体基板永久键合在硅基载板上，完成正面的晶圆制程；S2、采用有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板；S3、通过机械研磨硅基载板至键结层前，再通过蚀刻完全除去硅基载板并对化合物半导体基板减薄；S4、完成背面晶圆制程后解键合，移除玻璃载板，清洗去除黏着层，完成化合物半导体元件。本发明运用将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片的生产线量产化合物半导体元件，可以一次进行多片化合物半导体晶圆的制造，提高了化合物半导体晶圆的产线效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 有机 薄膜 进行 化合物 半导体 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
