[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202110204311.X | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113054012B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 罗君轶;顾悦吉;张硕;黄示;何火军 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，绝缘栅双极晶体管包括半导体层，具有相对的第一表面以及第二表面；自第二表面向第一表面的延伸方向上依次堆叠的P型集电区、N型场截止层、N型漂移区、P型基区以及发射区，发射区包括P型发射区与N型发射区；多个沟槽，沿半导体层的厚度方向延伸，绝缘栅双极晶体管包括电流引导区和电流扩展区，电流扩展区中沟槽的底部周围设置有P型掺杂区，以及P型掺杂区与所述P型基区之间被沟槽隔断的N型掺杂区。本发明可以减小绝缘栅双极晶体管中沟槽底部的电位抬升所产生的栅位移电流，从而有效增强栅驱动电阻对绝缘栅双极晶体管dv/dt的控制能力，降低EMI噪声，提高器件的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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