[发明专利]一种R-T-B-Si-M-A系稀土永磁体在审
| 申请号： | 202110204313.9 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113066624A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 魏中华;何剑锋;付松;朱啸航;何杰杰;高康 | 申请（专利权）人： | 浙江英洛华磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 林君勇 |
| 地址： | 322118 浙江省金华市东*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种R‑T‑B‑Si‑M‑A系稀土永磁体，主要包括质量配比组成如下的组分：R 29.0％～32.8％，B 0.9％～0.98％，Si 0.01％～0.1％，M 0.05％～2％，A 0.2％～1％；本发明在R‑T‑B系稀土永磁体中，通过添加规定量的Si，以及适量的Cu和Ga，其结果，能够提高剩磁和矫顽力，并且显著改善大批量生产时磁体的剩磁和矫顽力的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 稀土 永磁体 | ||
【主权项】：
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