[发明专利]一种Spiro-OMeTAD单斜晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202110204809.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113005523B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王杰;贺卿;石东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/00 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Spiro‑OMeTAD单斜晶体的制备方法，包括以下步骤：选取特殊的溶剂，采用反溶剂气相扩散辅助结晶法诱导Spiro‑OMeTAD结晶，在反溶剂逐渐挥发扩散的作用下，溶液逐渐饱和并伴随Spiro‑OMeTAD单斜晶体析出。通过本发明提供的方法制备出的Spiro‑OMeTAD单斜晶体，具有更高的空间对称性，通过导电性能测试发现其相比于三斜晶体具有更好的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 spiro ometad 单斜 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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