[发明专利]一种增强Mie散射的单层辐射制冷薄膜在审
申请号: | 202110204918.8 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN113280528A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 黄程;徐泽文;詹耀辉;马鸿晨;王亮;章新源;李孝峰 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | F25B23/00 | 分类号: | F25B23/00 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 王利斌 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种增强Mie散射的单层辐射制冷薄膜,包括基体,基体内部均匀分布有第一散射体与第二散射体,第一散射体为可侵入散射体,第二散射体为固态,第二散射体部分侵入到第一散射体内,形成散射体界面。本发明的有益效果:通过引入第二散射体,增加了散射系数,形成了散射体界面,进而形成增强的Mie散射,降低了依靠散射的辐射制冷器的厚度依赖性,使用成本降低,光学性能提高,避免了因为膜层过厚,应力不均匀形成的膜层卷曲现象,提升便利性和可靠性,第二散射体和两种散射体间所形成的界面是人工添加形成的,具有大小和体积分数的可控性质,优于多级孔薄膜的散射体不可控的特性,力学性能强,结构可靠,进一步提升了性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 mie 散射 单层 辐射 制冷 薄膜 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110204918.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。