[发明专利]一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法在审
| 申请号： | 202110205037.8 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013237A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，在硅基底上形成由SiGe层和Si层交替堆叠构成的叠层；将叠层形成为多个相互间隔排列的堆叠结构；在每个堆叠结构上形成多晶硅栅极；在多晶硅栅极侧壁形成SiOCN或SiBCN材质的侧墙，去除多晶硅栅极两侧的堆叠结构；去除侧墙下方的SiGe层，在侧墙下方的Si层之间形成腔体；将腔体用SiOCN或SiBCN填充；形成源漏端；在源漏端及多晶硅栅极上沉积一层间介质层；去除多晶硅栅极形成凹槽；去除堆叠结构中的SiGe层，在Si层中间形成空洞，在凹槽和所述空洞中填充金属。本发明采用低介电常数材料作为GAAFET的栅极侧墙和内间隔层，有效降低器件的电容，并提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 间隔 环绕 式场效电晶管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110205037.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冰箱及食材标签扫描方法
- 下一篇：一种场效应晶体管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
