[发明专利]一种自选择修饰的互补性光突触晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202110205256.6 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN113013337A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 黎明;李小康;于博成;黄如 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种自选择修饰的互补性光突触晶体管及其制备方法,属于面向神经形态计算应用的突触器件领域。本发明结合具有高光敏特性的卟啉和具有良好低维输运特性的围栅硅纳米线体系,同时通过利用氮化硅和氧化硅的亲疏水性差异,实现了卟啉在硅纳米线上的富集,从而提高光突触器件的灵敏度。此外针对目前光突触器件只能实现增强特性或者抑制特性的特点,通过卟啉与不同掺杂类型的硅纳米线的相互作用,可以实现具有互补特性的光突触特性,使得其有潜力运用到未来人工视觉神经网络中。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择 修饰 互补性 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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