[发明专利]一种压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110205710.8 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113003534A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 赵雪龙;尹振;孟莹;李俊龙;徐杨;王盛凯;王英辉 | 申请（专利权）人： | 昆山微电子技术研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王晓坤 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种压力传感器及其制备方法，该方法包括：获得表面沉积有金属层的第一片体；获得表面沉积有金属层的第二片体；第二片体具有凹槽；将金属层对准的第一片体和第二片体置于键合腔室中，并对键合腔室抽真空；向键合腔室中通入还原气体，并在还原气体的气氛下对第一片体和第二片体进行热压键合，得到压力传感器半成品；对压力传感器半成品进行图形化处理和电极制备，得到压力传感器。本申请向键合腔室中通入还原气体，还原气体对金属层表面的氧化物进行还原，有效去除氧化物对键合强度的影响，从而提升键合强度，并提升空腔的气密性；同时还原气体还可以活化金属层的表面，加快金属层之间的键合速度，并降低键合所需的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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