[发明专利]一种钴基多层膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110205965.4 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113046709B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 徐秀兰;于广华;冯春;滕蛟;黄意雅 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法，该钴基多层膜包括：基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法，其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象，诱发其界面结构的改变，无需后续的真空退火处理，通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构，得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态，使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态，增加了调节的范围和可控性，从而引起Co基多层膜磁性能的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基多 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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