[发明专利]一种于氯苯溶液中生长Spiro-OMeTAD单晶的方法有效
| 申请号： | 202110206646.5 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113005524B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 贺卿;王杰;石东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/00 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种于氯苯溶液中生长Spiro‑OMeTAD单晶的方法，包括以下步骤：首先使用氯苯溶液溶解Spiro‑OMeTAD，其次使用特定波长的紫外光照射，最后再使用反溶剂气相扩散辅助结晶法诱导Spiro‑OMeTAD结晶，即可制得。通过本发明的方法可以制备出不含氯苯溶剂分子的Spiro‑OMeTAD单晶，其是通过改变溶质分子在溶剂中的存在状态进而改变结晶方式。该方法制备出的Spiro‑OMeTAD单晶未使用传统意义上的DMSO溶剂，所以不会溶解钙钛矿，因此克服了其在实际应用中的缺陷，使其作为空穴传输材料的光电子器件可以与钙钛矿太阳能电池的器件制备工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氯苯 溶液 生长 spiro ometad 方法 | ||
【主权项】：
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