[发明专利]一种硒化铋超晶格结构及其制备有效
| 申请号： | 202110206992.3 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112968121B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李含冬;贺靖;李俊烨;杜绍增;陈治;姬海宁;牛晓滨;王志明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N10/857 | 分类号： | H10N10/857;H10N10/852;H10N10/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 硒化铋超 晶格 结构 及其 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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