[发明专利]一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法在审
申请号: | 202110208579.0 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN112959232A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 颜冠致;毛长虹;李文华;朱咏民 | 申请(专利权)人: | 合肥铨得合半导体有限责任公司 |
主分类号: | B24D11/00 | 分类号: | B24D11/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 231272 安徽省合肥市经济技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法,有真空吸盘,真空吸盘表面不同区域设有下沉腔,下沉腔内开有吸气孔,将研磨垫贴合在真空吸盘上,通过真空吸盘抽真空,研磨垫吸合在真空吸盘上,对研磨垫表面进行切削加工,由于真空吸力,对应于下沉腔部位的研磨垫区域,切削吃深随下沉腔深度不同而不同,如此实现研磨垫沟槽切削深度可调。切削刀具加工时,刀头距研磨垫不同区域的吃深不同,这样由于切削深度不同,会在研磨垫上加工出不同深度的沟槽。来满足研磨垫抛光芯片时的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 真空 吸力 控制 研磨 沟槽 切削 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥铨得合半导体有限责任公司,未经合肥铨得合半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110208579.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:TIM抑制剂及其应用
- 下一篇:电源极性反接测试装置、测试系统及方法