[发明专利]一种应用于毫米波频段的L形宽带宽波束圆极化片上天线有效

专利信息
申请号: 202110208631.2 申请日: 2021-02-24
公开(公告)号: CN112909531B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 唐红艳;官鑫;田帅;徐文成张;吴韵秋;余益明;康凯 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q15/24;H01Q1/52;H01Q1/22
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于无线通信技术领域,提供一种基于CMOS工艺的应用于毫米波频段的L形宽带宽波束圆极化片上天线,用以解决电磁波传输中的散射问题。本发明包括从下往上依次层叠的接地层1、硅衬底层2、二氧化硅层3及钝化层4,二氧化硅层中设置由分形天线变形形成的L形天线5。本发明中,片上天线能够与CMOS芯片集成,去除了芯片间互连线的影响,使得天线结构更加简单,大大降低制造精度及可靠性的需求,减小了集成的成本,简化了芯片间信号传输的匹配问题,同时极大的节省了系统占用的面积;同时,该片上天线具有宽带宽特性,适用于多个频段的信号传输;并且具有圆极化特性,能够减少极化失配的影响,且在接受信号时去除散射波的影响,消除了多径干扰。
搜索关键词: 一种 应用于 毫米波 频段 宽带 波束 极化 天线
【主权项】:
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