[发明专利]或非型闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种或非型闪存器件及其制造方法，所述或非型闪存器件的制造方法包括：提供一具有外围器件区和存储单元区的晶圆片，在外围器件区沉积一氮化硅层；在所述外围器件区和所述存储单元区形成栅极；形成第一侧墙于所述栅极的侧壁上；进行轻浅掺杂离子注入；形成由氧化物组成的第二侧墙于所述第一侧墙的外围；进行源漏极离子注入；通过酸洗和蚀刻去除所述栅极顶部的氧化物与氮化物；以及，在所述晶圆片上形成金属硅化物。本发明的技术方案降低了存储单元区的深宽比，有利于后续对层间介质的填充，增大了所述外围器件区的侧墙厚度，保证了足够的击穿电压，提高了产品均匀性，提高了或非型闪存器件的可靠性。